ENTEGRIS的3D NAND 解決方案

三(san)維(wei)垂(chui)直(zhi)堆(dui)疊(die)內(nei)存(cun)架(jia)構(gou)為(wei)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)帶(dai)來(lai)了(le)指(zhi)數(shu)級(ji)的(de)提(ti)升(sheng)，但(dan)也(ye)在(zai)設(she)備(bei)製(zhi)造(zao)和(he)集(ji)成(cheng)層(ceng)麵(mian)帶(dai)來(lai)了(le)根(gen)本(ben)性(xing)的(de)新(xin)挑(tiao)戰(zhan)。這(zhe)些(xie)挑(tiao)戰(zhan)影(ying)響(xiang)著(zhe)閃(shan)存(cun)產(chan)品(pin)鏈(lian)的(de)方(fang)方(fang)麵(mian)麵(mian)
，從(cong)設(she)計(ji)到(dao)供(gong)應(ying)，再(zai)到(dao)材(cai)料(liao)處(chu)理(li)、製造和交付。隨著架構從 64 垂直層發展到 96、128 甚至更多層，這些挑戰將變得更加嚴峻。我們了解其中的許多挑戰，並擁有理想的解決方案。

了解閃存的未來 3D NAND

您可能還不了解 3D NAND
，但您應該了解它。這種分層形式的閃存為存儲工廠運行所需的所有數據提供了一種經濟高效的方法。您還應該了解其中的技術挑戰。

三維 NAND 挑戰和 entegris 解決方案

三(san)維(wei)垂(chui)直(zhi)堆(dui)疊(die)內(nei)存(cun)架(jia)構(gou)為(wei)閃(shan)存(cun)存(cun)儲(chu)帶(dai)來(lai)了(le)指(zhi)數(shu)級(ji)的(de)提(ti)升(sheng)


，但(dan)同(tong)時(shi)也(ye)在(zai)設(she)備(bei)製(zhi)造(zao)和(he)集(ji)成(cheng)層(ceng)麵(mian)帶(dai)來(lai)了(le)根(gen)本(ben)性(xing)的(de)新(xin)挑(tiao)戰(zhan)。這(zhe)些(xie)挑(tiao)戰(zhan)影(ying)響(xiang)著(zhe)閃(shan)存(cun)生(sheng)產(chan)鏈(lian)的(de)方(fang)方(fang)麵(mian)麵(mian)，從(cong)設(she)計(ji)到(dao)供(gong)應(ying)
，再(zai)到(dao)材(cai)料(liao)處(chu)理(li)、製造和交付。

隨著架構從 64 垂直層發展到 96、128 甚至更多層，這些挑戰將變得更加嚴峻。

我們了解其中的許多挑戰，並擁有理想的解決方案。

產品解決方案

材料純度和性能

工藝純度和缺陷控製在 3D NAND 工藝中至關重要。3D NAND 設計和製造的整體複雜性增加了工廠在汙染控製方麵麵臨的挑戰。每一代 3D NAND 對(dui)汙(wu)染(ran)都(dou)越(yue)來(lai)越(yue)敏(min)感(gan)。材(cai)料(liao)純(chun)度(du)變(bian)得(de)更(geng)加(jia)重(zhong)要(yao)

，因(yin)為(wei)缺(que)陷(xian)會(hui)產(chan)生(sheng)更(geng)大(da)的(de)影(ying)響(xiang)。隨(sui)著(zhe)堆(dui)棧(zhan)中(zhong)晶(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量(liang)的(de)增(zeng)加(jia)，一(yi)個(ge)缺(que)陷(xian)可(ke)能(neng)會(hui)堵(du)塞(sai)多(duo)個(ge)單(dan)元(yuan)
，並(bing)更(geng)容(rong)易(yi)導(dao)致(zhi)整(zheng)個(ge)器(qi)件(jian)損(sun)壞(huai)。我(wo)們(men)的(de) Purasol SP/SN 溶劑淨化器、Microgard過濾器和 Oktolex  Impact 8G 光化學過濾器解決方案可以去除顆粒、凝膠和金屬，減少光刻應用中的電氣故障，幫助提高工藝純度。原子層沉積 (ALD) 化學前驅體通常是含碳分子。如果存儲單元堆疊較大（96 層或更多），含碳副產物在底部的停留時間可能長於頂部，從而導致沉積厚度差異。請向我們谘詢無碳前驅體和前驅體輸送係統，如 ProE-Vap 輸送係統，該係統可提供充足的流量和較高的前驅體利用率，同時將浪費降至最低。

深度蝕刻結構

對於深度蝕刻結構，需要非常厚的高粘度光刻膠層（約 1000 cps）來確定非晶碳硬掩膜層。這種粘度水平會在光刻膠塗敷過程中形成微氣泡，從而在後續圖案化過程中產生缺陷。3D NAND 工藝對光刻缺陷更為敏感，因為其尺寸更小（例如，溝道直徑約為 50 nm）。要最大限度地減少氣泡
，需要一種新穎的泵送高粘度光刻膠的方法。我們提供帶有 Impact過濾器的 IntelliGen雙級泵，用於過濾、去除氣泡和穩定的高粘度光阻分配。此外，我們的襯墊式光刻膠噴點係統（包括 NOWPak罐裝係統和 PDMPak及 NOWPak 瓶裝係統）可準確噴點高粘度光刻膠，不會產生氣泡或汙染。

從上到下的一致性

隨著多層堆棧高度的增加，在存儲器陣列頂部和底部實現一致的蝕刻和沉積剖麵也變得越來越困難。例如
，當比率為 ~100:1 時，選擇性去除存儲器堆棧中的 Si3N4 就成為濕法蝕刻的一項挑戰。難點在於如何在不蝕刻任何二氧化矽的情況下，始終如一地去除堆棧頂部和底部以及整個晶片上的 Si3N4。在 96 層以下
，可以使用熱磷酸（約 160°C）來完成這項任務；但在 96 層及以上，則需要使用專門配製的濕蝕刻化學藥劑。我們可以提供這些配方化學藥劑，以提高工藝利潤。

避免排隊時間缺陷

考慮到大量的深溝道孔（每個芯片超過 20 億個）和堆棧厚度，每一代 3D NAND 產品在高縱橫比 (HAR) 刻蝕步驟中產生的副產物量都會變得越來越大。由於製程步驟較長，一批晶片通常會在前開式統一存儲艙（FOUP）中停留較長時間，副產品會吸附在 FOUP 內部表麵，並在排隊期間轉移到晶片上。為了防止副產品吸附到微環境中，我們提供了一種創新的 Spectra EBM FOUP

，這種 FOUP 帶有擴散器吹掃功能，它使用了一種帶有濕氣屏障的特殊聚合物材料，能夠更有效地抽走副產品，從而減少排隊時間的缺陷。